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Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs
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Rohm SCT2450KE
Siliciumcarbid – Wikipedia
MSC080SMA330B4: SiC-MOSFET N-Kanal, 3300 V, 41 A, Rds(on) 0,08 Ohm, TO-247-4L bei reichelt elektronik
