GAN063-650WSAQ Nexperia, Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V | Farnell DE
Warum GaN Devices den Silizium-Chips überlegen sind
Micromachines | Free Full-Text | Vertical GaN MOSFET Power Devices
Materials | Free Full-Text | Analysis for DC and RF Characteristics Recessed-Gate GaN MOSFET Using Stacked TiO2/Si3N4 Dual-Layer Insulator
GaN-Produkte und -Ressourcen für Leistungsanwendungen bei DigiKey | DigiKey
How GaN FETs Have Become the Technology of Choice for Audiophiles - Technical Articles
Trimming the on-resistance of GaN MOSFETs - News
GaN-FETs verbessern Leistungsdichte und Wirkungsgrad | DigiKey
Rad-tolerant GaN FET handles 15 A, 900 V - Power Electronic Tips
GaN FETs: The Technology of Choice for Audiophiles - Power Electronics News
Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET
TRS-STAR | Distribution elektronischer Komponenten – 650V E-Mode GaN-Mosfet von WAYON ELECTRONICS
Wie man GaN- oder SiC-Bauelemente für Hochspannungsschaltungen auswählt
Toshiba's Cascode GaN Discrete Power Device Realize Stable Operation and Simplifies System Design with Direct Gate Drive | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | Asia-English
What is a Gallium Nitride, GaN MOSFET » Electronics Notes
900V 170mΩ Gallium Nitride (GaN) FET - Transphorm | Mouser
Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction
Simplified enhancement-mode GaN FET structure. The physical structure... | Download Scientific Diagram
Reducing on-resistance in vertical gallium nitride MOSFETs
First' quasi-vertical gallium nitride trench MOSFET on six-inch silicon
Warum GaN Devices den Silizium-Chips überlegen sind
LMG1210 200-V-Halbbrücken-MOSFET- und GaN-FET-Treiber - TI | Mouser
AN003-Using Enhancement Mode GaN-on-Silicon Power FETs
Micromachines | Free Full-Text | Vertical GaN MOSFET Power Devices
Galliumnitrid / Transphorm: Ist GaN wirklich zuverlässig? - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren
