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650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - STMicro | Mouser
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Alles über Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-FETs | Altium
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So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren
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900-V-EliteSiC (Siliziumkarbid)-MOSFETs - onsemi | Mouser
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onsemi NTH NTHL040N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 60 A, 4-Pin TO-247-4
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1200-V-EliteSiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) - onsemi | Mouser
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650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
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1700-V-SiC-MOSFETs und -Dioden – Wolfspeed | DigiKey
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Präziser Blick ins Innerste von Transistoren hilft Energie sparen | FAU Erlangen-Nürnberg
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So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren
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M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - onsemi | Mouser
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1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress
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NVHL075N065SC1 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte | DigiKey
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Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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Automobilstandard-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
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G3R20MT17K Genesic Semiconductor, Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal | Farnell DE
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Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
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Siliziumkarbid-MOSFETs - Micro Commercial Co | DigiKey
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onsemi NVH NVH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4
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Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor
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Rohm SCT2450KE
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1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress
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Mehr E-Auto-Reichweite: Antriebsstrang mit SiC-Halbleitern verbessert
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Neu erschienen: Verena Grifone Fuchs – Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D – BibBlog – Weblog der Universität Siegen
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