650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
SiC-MOSFETs der dritten Generation bieten eine hohe Leistung
Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
Nexperia steigt in den SiC-MOSFET-Markt ein
Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur
MSC080SMA330B4: SiC-MOSFET N-Kanal, 3300 V, 41 A, Rds(on) 0,08 Ohm, TO-247-4L bei reichelt elektronik
In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
G3R™ 750-V-SiC-MOSFETs bieten beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit
Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm: Tiefe Einblicke in die Gen 4 - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
MD200HFR120C2S Starpower, Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke | Farnell DE
1200-V-EliteSiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) - onsemi | Mouser
Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba: Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
What are Silicon Carbide (SiC) MOSFETs? - everything PE
SiC-MOSFET - Ergebnisse der Produktsuche | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd.
900-V-EliteSiC (Siliziumkarbid)-MOSFETs - onsemi | Mouser
:quality(90)/p7i.vogel.de/wcms/1f/31/1f310f1e777d5a975c896a5d9c23e9b5/89208199.jpeg "Silizium versus Siliziumkarbid: zwei MOSFETs im Vergleich")
Silizium versus Siliziumkarbid: zwei MOSFETs im Vergleich
MSC035SMA170S: SiC-MOSFET N-Kanal, 1700 V, 59 A, Rds(on) 0,035 Ohm, TO-268 (D3P bei reichelt elektronik
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
Siliziumkarbid-MOSFETs | Coherent
Siliziumkarbid-MOSFETs - Micro Commercial Co | DigiKey
Siliziumkarbid (SiC) - EWA - TU Dortmund
In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
SiC: Leistungsvergleich zwischen IGBT und SiC Gen4
Bare-Die-Siliziumkarbid-MOSFETs | Coherent
