Neues Gehäuse für OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs ermöglicht Source-Down-Technologie von 25 V bis 100 V für 3,3 x 3,3 mm2-PQFN-Gehäuse - Infineon Technologies
Automotive MOSFETs – Auf die Verpackung kommt es an
Superjunction-MOSFETs von Nexperia | Elektor Magazine
G3VM-VY MOSFET-Relais im SOP-Gehäuse - Omron Electronics | Mouser
MOSFET DTMOS VI im TOLL-Gehäuse - Toshiba | DigiKey
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CoolSiC 62 mm-Modul eröffnet neue Anwendungen für Siliziumkarbid | Elektronik News
Leistungs-MOSFET: Neues Gehäuse für besseren Schutz - Automotive - Elektroniknet
Nexperia steigt in den SiC-MOSFET-Markt ein
3 Stück STB60NF06T4 | POWER MOSFET N-CHANNEL STripFETII | 60V | 0.016 Ohm | 60A | 110W | STMicroelectronics | D2PAK / TO-263 Gehäuse : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
Infineon stellt 650-V-SiC-MOSFETs im D²PAK-Gehäuse vor
Infineons OptiMOS™ neu bei Rutronik: Leistungs-MOSFETs im Source-Down Gehäuse-Upgrade
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MOSFETs
SiC-MOSFETs C3M™ im TOLL-Gehäuse - Wolfspeed | Mouser
5 Stück Power MOSFET-Transistoren IRFP064N, IRFP150N, IRFP240N, IRFP260N: TO-247-Gehäuse Für Audio-Verstärker Und Motorsteuerungsanwendungen - Temu Germany
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3 Stück STD3NC60 | POWER MESH II MOSFET N-CHANNEL | 600V | 1.80 Ohm | 3.2A | 60W | STMicroelectronics | DPAK/TO-252 Gehäuse : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
40 A/30 V Leistungs-MOSFET benötigt nur 3,3 x 3,3 mm²: DI040N03PT-AQ: Niedriger Rds(on) im winzigen QFN3x3-Gehäuse
Automotive-MOSFETs - Infineon Technologies | Mouser
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